ウェーハを高温の酸素に晒すことで表面を酸化させるプロセス。酸化膜は絶縁層となってトランジスタの構成要素となる。

ウェーハの表面に様々な材料の薄膜を堆積するプロセスとして、一定温度のウェーハに材料ガスを晒して膜生成を行う気相成長法（CVD）が用いられる。

フォトレジストといわれる感光剤をウェーハ表面に均一に塗る。これにより光に反応して回路パターンを焼き付けることができるようになる。照射する光源の種類によって材料が異なる。

露光・現像しゲート部を形成する。ウェーハ表面にフォトマスク、縮小レンズを通して光を照射し、回路パターンを焼き付ける。その後、現像液によって不要なフォトレジスト部分を除去する。ポジ式では感光した箇所、ネガ式では感光しなかった箇所が除去される。

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フォトレジストで形成されたパターンに沿って酸化膜・薄膜を削り取る。フォトレジストに覆われている部分は残る。

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残っているフォトレジストを剥離する。その後、ウェーハ上に残っている不純物を薬液に浸して取り除く。

不純物イオン（ドーパント）を注入し、熱処理によって活性化しソース・ドレインを形成する。これによって、半導体の電気的特性を変化させることができる。
※ソース・ドレインとはトランジスタという半導体の基本部品における、電流の出入り口

ウェーハの表面に気相成長法（CVD)で絶縁膜を堆積する。

露光精度を上げるためウェーハ表面を研磨し、凸凹を平坦化する。

露光・現像しコンタクト孔部のパターンを焼き付ける

絶縁膜をエッチングしコンタクト孔形成

ウェーハの表面に金属膜を堆積する。放電によってイオン化した材料をウェーハ表面に衝突させて膜堆積を行うスパッタリング法が用いられる。

露光・現像し電極・配線部のパターンを焼き付ける。

金属膜をエッチングし電極・配線を形成する。

電極・配線を外部環境から守るため保護絶縁膜を堆積する。

ウェーハに形成された数百個のチップのひとつひとつに対して、プローブと呼ばれる針を接触させて電気的に問題がないかを検査する。